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                  產品詳情
                  • 產品名稱:納米劃痕測試儀

                  • 產品型號:NST3
                  • 產品廠商:CSM
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                  簡單介紹:
                  上海鑄金分析儀器有限公司為您展示的納米劃痕測試儀NST3是一款原裝進口劃痕測試儀。納米劃痕儀專門用于表征厚度小于 1000 nm 的薄膜和涂層的結合力。納米劃痕測試儀可用于分析有機的和無機的以及軟的和硬的薄膜。
                  詳情介紹:

                  納米劃痕測試儀 (NST3)

                  儀器簡介:

                  市場上精 確的納米劃痕測試儀

                  納米劃痕測試儀專門用于表征厚度小于 1000 nm 的薄膜和涂層的結合力。納米劃痕測試儀可用于分析有機的和無機的以及軟的和硬的薄膜。如:薄的和多層的 PVDCVDPECVD、光刻膠、油漆、涂料和其他各種薄膜。NST3 涵蓋光學、微電子、防護、裝飾等 應用領域。基體可以是硬的或軟的,包括合金、半導體、玻璃、可折射的和有機材料。

                  主要特點:

                  施加較小的載荷時具有極快的響應速度

                  納米劃痕測試儀帶有載荷傳感器,采用雙懸臂梁用于施加載荷,以及壓電式驅動器用于對施加的載荷快速響應。這一設計理念還修正了在劃痕過程中發生的任何事件(例如出現裂紋和失效、缺陷或樣品不平整)而導致的測量結果偏差。

                  適用于彈性恢復研究的磚利真實劃痕位移測量

                  在劃痕之前、過程和之后,位移傳感器 (Dz) 一直記錄樣品的表面的輪廓。這讓您可以在劃痕過程中或之后評估針尖的位移量,從而可以評估材料的彈性、塑性和粘彈性能(磚利:US 6520004

                  不打折扣:施加任何微牛級的載荷

                  閉環主動力反饋系統可在 1 μN 以下進行更精 確的納米劃痕測試。納米劃痕測試儀包含一個 傳感器測量載荷,可以直接反饋給法向載荷驅動器。這確保施加的載荷就是用戶設置的載荷。

                  高質量光學成像帶“跟蹤聚焦”功能

                  集成顯微鏡包括配置高質量物鏡的轉塔和 USB 照相機。劃痕成像時,能輕松將放大倍數從 x200 轉換為 x4000,實現在低放大倍數和高放大倍數自由切換從而更好地對樣品進行評估。“跟蹤聚焦”功能可以進行將多個劃痕的 Z 樣品臺自動聚焦到正確位置。

                  劃痕后可用多次后掃描模式評估彈性性能

                  劃痕后,您可以在軟件中用時間增量定義無限次后掃描測量殘余位移。這種全新的分析方法將讓您進一步了解表面變形性能與時間的依賴關系。

                  典型應用:

                  ¨聚合物:薄膜和/或表面特性表征(耐磨損性)

                  ¨薄膜聚合物基體氧化物涂層

                  ¨超納米金剛石 (UNCD) 薄膜的機械性能

                  ¨硬質涂層(PVDCVD 涂層):厚度小于 1 微米

                  ¨晶圓:厚度范圍為 10 nm 500 nm

                  ¨光學和玻璃:薄膜和/或表面特性表征(耐劃擦性)

                  ¨涂層表面的物理特性分析

                  技術指標:

                  施加的載荷

                  分辨率

                  0.01 μN

                  *大載荷

                  1000 mN

                  本底噪音

                  0.1 [rms] [μN]*

                  摩擦力

                  分辨率

                  0.3 μN

                  *大摩擦力

                  1000 mN

                  位移

                  分辨率

                  0.3 nm

                  *大位移

                  600 μm

                  本底噪音

                  1.5 [rms] [nm]*

                  速度

                  速度

                  0.4 mm/min 600 mm/min

                  *理想實驗室條件下規定的本底噪音值,并使用減震臺。

                   

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